Produção

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Nossa planta fornece laser de bombeamento de 980 nm, uma fonte de luz de banda larga ASE e uma borboleta de diodo a laser. Nossos produtos são vendidos principalmente no país e no exterior.
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Fonte de luz para testar fibra única 405-940 nm

Fonte de luz para testar fibra única 405-940 nm

Neste modelo, uma fonte de luz para testar uma fibra de 405 a 940 nm usa um chip de laser semicondutor Tipo F-P, e um esquema de controle e controle de temperatura desenvolvido profissionalmente fornece operação segura do laser. A gama completa de comprimentos de onda, potência de saída estável e espectro, fibra de moda única, excelente qualidade do ponto de luz (modo LP01). O equipamento é distinguido por uma ampla seleção de comprimentos de onda ajustáveis, largura estreita da linha espectral, facilidade de operação e alta segurança. Pode ser amplamente utilizado em áreas como sensores de fibra óptica, teste de dispositivos ópticos, detecção de semicondutores, visão de máquina etc.
Módulo SOA de um amplificador óptico semicondutor com um alto coeficiente de amplificação de 1560 nm e um fator de amplificação de 30 dB

Módulo SOA de um amplificador óptico semicondutor com um alto coeficiente de amplificação de 1560 nm e um fator de amplificação de 30 dB

O módulo SOA de um amplificador óptico semicondutor com um alto coeficiente de amplificação de 1560 nm e um fator de amplificação de 30 dB é usado principalmente para melhorar o sinal óptico e pode aumentar significativamente a potência óptica de saída. Os produtos são caracterizados por um alto coeficiente de amplificação, baixo consumo de energia e preservação da polarização, bem como outras características, e são completamente avançados tecnologicamente usando tecnologias domésticas.
Fonte de luz de banda larga de 1030 nm ASE

Fonte de luz de banda larga de 1030 nm ASE

BOX OPTRONICS BRANGE BRANDBOUR LIGHT FONTE ASE 1030 Nm é baseada na fibra Itterbiev e no laser de bombeamento de semicondutores. O espectro de radiação cobre o comprimento de onda de 1030 nm, fornecendo uma alta capacidade de saída e um coeficiente de polarização de envenenamento de até 0,2 dB. Pode ser usado para testar dispositivos de fibra óptica, produção de grades VBR, etc.
808 nm 25 W 62,5 μm Diodo a laser de fibra multimodona para uma fonte de bombeamento

808 nm 25 W 62,5 μm Diodo a laser de fibra multimodona para uma fonte de bombeamento

Como fabricante profissional, a Box Optronics procura você fornecer a você lasers de alta qualidade 808 nm 25 W 62,5 μm de diodo a laser de fibra multimódica para a fonte de bombeamento, sistemas de processamento de materiais, fontes de bombeamento e outras áreas de aplicação. Nosso produto é caracterizado por alta resistência e cumpre os padrões internacionais. Se você estiver interessado neste produto, entre em contato conosco.
1064 nm Diodo DFB-Laser com uma capacidade de 200 MW com ligações de fibra

1064 nm Diodo DFB-Laser com uma capacidade de 200 MW com ligações de fibra

A Box Optronics oferece diodo de Laser DFB-Laser de 1064 nm de alta qualidade com uma capacidade de 200 MW com ligações de fibra em um caso BTF de 14 pinos. Esses dispositivos fornecem energia muito estável de até 200 MW no modo de radiação contínua. Opcionalmente disponível -mod e fibras ópticas de modos únicos. Eles estão equipados com carga termoelétrica construída (estudo de viabilidade) e monitore fotodiides. Coeficiente de supressão do mod de moda lateral> 40 dB. Eles são frequentemente usados em sistemas de detecção óptica e como fontes de sementes para lasers.
1550 nm 100 mW de 100 kHz Diodo a laser estreito com uma linha diferente

1550 nm 100 mW de 100 kHz Diodo a laser estreito com uma linha diferente

A Box Optronics oferece 1550 nm 100 MW 100 kHz Um diodo a laser estreito com um dispositivo de linha de variedades em uma caixa BTF de 14 pinos. Esses dispositivos fornecem energia muito estável de até 100 MW no modo de radiação contínua e largura da linha<100 кГц. Опционально доступны одномодовые и одномодовые оптоволоконные пигтейлы. Они оснащены встроенными охладителями термоэлектрического конденсатора (ТЭО) и следящими фотодиодами (ФД). Коэффициент подавления боковых мод >40 dB. Eles são frequentemente usados em sensores ópticos e comunicação óptica.
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